两大存储巨头即将官宣重磅消息。
今日早间，韩国股市开盘后，存储芯片巨头SK海力士、三星电子股价直线跳水，盘中一度大跌超5%，韩国KOSPI指数一度大跌超3%。韩国交易所启动KOSDAQ指数熔断机制，暂停程序化买入5分钟。
消息面上，三星与SK集团将于周一晚些时候在韩国总统府公布投资方案，两家企业未来十年的总投资规模最高或达2000万亿韩元（约合人民币8.8万亿元），将重点布局半导体、AI算力数据中心与物理AI领域。
中金公司最新发布的研报认为，综合来看，韩股当前场内杠杆倍数在2x~5x左右，绝对杠杆已至历史高位，但相对市值比例横纵向对比都算不上极致，市场情绪和流动性指标略显紧张但不显著。往前看，高杠杆会本身放大波动，甚至带来流动性压力，如下跌16~36%会触发保证金追缴，近期强平压力抬升，但中长期趋势更多取决于基本面。
海力士、三星开盘跳水
北京时间6月29日早间，韩国股市开盘后，SK海力士、三星电子股价跳水，截至08：45，SK海力士跌4.6%，三星电子跌4.9%，韩国KOSPI指数大跌2.47%。日本股市亦大幅走低，日经225指数跌1.23%。
据《韩国经济日报》周一报道，三星集团、SK集团准备宣布高达2000万亿韩元的投资计划，作为韩国总统李在明旗舰产业战略的一部分。
报道称，这两家集团的领导层预计将于周一在总统府提交计划时公布这一投资方案，但未透露消息来源。
据报道，三星电子和SK海力士预计将在光州地区各自建设四到五座半导体制造厂。该报补充道，三星预计将在忠清南道建设芯片封装厂，而SK海力士将在忠清北道扩建NAND闪存工厂。
韩国总统府28日表示，李在明将于下午2点举行活动，介绍“大飞跃三大超级项目（Three Mega Projects for the Great Leap Forward）”。总统发言人姜由桢表示，产业通商资源部、科学技术部、气候部和国土交通部的官员将首先阐述政府的政策措施，随后三星和SK集团将介绍各自的投资计划。
最新报道指出，未来10年的总投资承诺高达2000万亿韩元，这一数字超过了《每日经济新闻》此前的报道，该报道称仅三星一家就预计将宣布超过1000万亿韩元的投资计划。
据此前报道，韩国总统办公室政策室长金容范6月24日宣布，政府与三星电子、SK海力士就未来的新半导体集群选址规划已进入最后讨论阶段，即将最终敲定。
金容范指出，由于AI行业对芯片的需求呈现“指数级和爆炸性增长”，两家公司现有的龙仁半导体集群建设进程将大幅提前。
大幅上调
当前，全球半导体行业正在经历一场由AI驱动的根本性结构变革，美光科技最新的季度业绩表明，制造专为AI优化的存储芯片所需的产能是传统计算产品的3—4倍。
Aletheia Capital在此前发布的报告中大幅上调DRAM、HBM价格预期，预计2026年第三季度 DRAM平均售价将上涨30%，远高于此前预估的10%—15%。HBM平均售价到2027年可能每年翻一番。报告指出，内存正成为AI硬件系统中最关键的部件，其综合价值占比将从2025年的约40%升至2027年的超70%。
摩根士丹利在此前发布的报告中指出，受AI数据中心需求持续增长推动，硬盘及存储全产业链供需紧张程度超出预期，短缺局面或至少持续至2028年，打破此前“2027年缓解”的预期。
美银证券高级半导体分析师Vivek Arya在接受最新采访时说道：“没有存储芯片，就没有人工智能。”
Vivek Arya还指出，近期看到的盈利激增——远远超过了市场预期，反映的是一种永久性的转变，而不是典型的周期性上升。
Vivek Arya预计，AI内存的供需失衡至少会持续到明年年底。他提到，美光已宣布与16家不同的客户达成里程碑式的协议，这些协议将提供多年价格、数量和供应方面的可见性。
“我认为这次的周期持久性有所不同。”他说道，并强调即使存储芯片制造商想要提高产量，但土地、电力和制造空间等物理限制使得快速扩张几乎不可能。
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